提供一站式燈珠解決方案多年為高端LED燈具廠家提供高品質燈珠
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據國外媒體報道，商用LED燈先驅Cree正在通過銷售據稱可以提高電池性能的半導體器件，將自己重新塑造為電動汽車領域的關鍵參與者。
該公司首席執行官格林·羅威（Gregg Lowe）在接受采訪時說，預計到2025年左右，全球對碳化硅材料和電腦芯片的需求將飆升至90億美元，其中約一半將來自汽車行業。
“公司將在未來6到18月內獲得很大一部分業務?！绷_威表示。幾家汽車制造商正在評估諸如電力轉換器、逆變器和充電站等Cree技術在電動汽車部件中的應用?！熬屯苿有袠I發展的角度而言，汽車現在確實是我們關注的焦點。”
近日，科銳（Cree）與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC，DLPH）宣布開展汽車碳化硅（SiC）器件合作?？其J是碳化硅（SiC）半導體全球領先企業，德爾福科技是汽車動力推進技術全球供應商，雙方的此次合作將通過采用碳化硅（SiC）半導體器件技術，為未來電動汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統。
科銳碳化硅（SiC）基金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術與德爾?？萍嫉臓恳寗幽孀兤?、DC／DC轉換器和充電器技術的結合，將助力電動汽車（EV）提高行駛里程和實現更快充電時間，同時還將減輕重量、節約空間、降低成本?？其J碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）最初將用于德爾福科技為某一全球頂級汽車制造商設計的800V電控逆變器。計劃量產時間為2022年。
德爾?？萍际紫瘓绦泄賀ichard F． （Rick） Dauch表示：“德爾?？萍贾铝τ跒槠囍圃焐烫峁╅_拓性的解決方案。汽車制造商們正在努力滿足日趨嚴格的全球排放法規要求和消費者對于電動汽車（EV）的期待。我們與科銳的合作，將為汽車制造商們創造顯著的效益。消除駕駛員對于電動汽車（EV）行駛里程、充電時間和成本等方面的憂慮，為整個行業帶來好處?！?/p>
由于汽車產業正在尋求加速從內燃機向電動汽車（EV）的轉變，從而碳化硅（SiC）基功率解決方案的采用正在整個汽車市場實現快速地增長。IHS預計，到2030年高電壓電動輕型汽車的銷量將達到3000萬臺（占全球全部汽車銷售的27％）。電控逆變器是最具價值的電氣化部件之一，電控逆變器效率對于汽車性能眾多方面都可以帶來產業變革性的影響。
科銳首席執行官Gregg Lowe表示：“科銳技術在這場向電動汽車（EV）的重大轉變中處于核心位置。我們致力于支持汽車產業從硅（Si）基設計向更高效率、更高性能碳化硅（SiC）基解決方案的轉型。這次與德爾福科技的合作，將幫助推進碳化硅（SiC）在汽車領域的采用?？其J作為碳化硅（SiC）全球領先企業，正在持續擴大產能以滿足市場需求，通過我們業界領先的功率型金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），助力實現一個嶄新的、更高效率的未來?！?/p>
得益于在材料和技術上的深厚積累，Cree能夠制造出可在很小的空間里用更大的功率，同時還具備正向電壓低、超薄厚度、發熱性低、針對靜電放電（ESD）的高容限／耐受、使用壽命長久等典型特征的LED燈珠，公司也在這個領域一騎絕塵。
今年三月，他們宣布，將向美國理想工業公司（IDEAL INDUSTRIES）出售其照明產品業務部門（＂Cree Lighting＂），包括用于商業、工業和消費者應用的LED照明燈具、燈泡以及企業照明解決方案業務。公司在未來將定位為一個更專注的半導體領導者。
曾幾何時，在led芯片領域，我們一定繞不過美國Cree，歐洲飛利浦、歐司朗，日本日亞化學與豐田合成等公司。因為這些IDM企業憑借其業務模式的優勢，在LED領域建立了領先的優勢，公司推出的產品也備受好評。
但和其他芯片的發展一樣，在經歷了歐美壟斷、韓國臺灣推動大規模商用，然后在經歷國內政策扶持，海內外人才迅速加入以后，以三安廣電和華燦光電為代表的一大波國內led芯片廠商迅速崛起，也逐漸把led芯片變成了一個幾由中國廠商把持的紅海市場。
統計顯示，2013年以來，中國LED芯片行業產值規模占全球規模的比例不斷提升，市場份額也由2013年的27．0％上升至2017年的37．1％。在2017年，中國LED芯片產能占全球的比例達到58％。而排在其后的中國臺灣2017年LED芯片產能占比15％；其后是日本、韓國、美國，這三個國家的LED芯片產能占比分別為12％、9％、3％。在國內，本土廠商的份額更是水漲船高。
截至2017年底，國內前四大芯片廠商占據了超過70％的市場份額。居前四位的分別是三安光電（產能為280萬片／每月）、華燦光電（產能170萬片／每月）、澳洋順昌（產能100萬片／每月）和乾照光電（產能55萬片每月），占比分別為32．6％、19．8％、11．6％和6．4％?？傮w來看，我國LED芯片行業集中度較高。
隨著技術的進步，國內的led芯片質量也大幅提升，出貨量也日漸增長，led芯片的各個環節價格也開始大跌。資料顯示，白光 LED 封裝的成本將從 2009 年的 25 美元／klm 降至 2020年的 0．7 美元／klm，其成本的終極目標更是渠道為 0．5 美元／klm，平均每年的成本下降在 30％以上。再加上國內廠商競爭，對Cree來說，led芯片市場不再有吸引人。
Cree放棄照明業務，另一個原因就在于看到GaN和SiC器件需求的飆升。
對led芯片產業有所了解的朋友應該知道，GaN和SiC這些化合物半導體曾經被推廣到led芯片當作襯底，而Cree作為當中的領頭羊，在這些領域都有很深入的研究和積累。雖然led市場吸引力不再，但這些技術在功率電子和射頻領域看到了很大的成長空間。
根據知名分析機構Yole的數據顯示，2016年，全球氮化鎵（GaN）半導體器件市場規模為165億美元，預計到2023年將達到224．7億美元，2017年至2023年期間的復合年增長率為4．6％。Yole指出，驅動該市場增長的主要因素包括氮化鎵在消費電子和汽車領域具有廣闊的市場潛力；氮化鎵材料的寬帶隙特性促進了創新應用；氮化鎵在RF功率電子領域的成功應用；以及軍事、國防、航空航天應用領域增加對氮化鎵RF半導體器件的采用。
據資料顯示，成立之初的Cree就確定了朝SiC材料發展的道路，公司也在1989年發布了世界上第一款藍色led，而這顆芯片就是在SiC上生產的。自led之后，他們就將SiC技術拓展到其他領域，并把其發展成為公司業務的另一大支持，這就是上文提到的Wolfspped。太平洋證券指出，Cree在1991年就推出了全球首款商用SiC晶圓，1998年創建業界首款采用SiC的GaN HEMT，進入21世紀后，公司在SiC射頻器件與電力電子器件領域繼續拓展，于2002年推出首款600V商用SiC JBS肖特基二極管，2011年推出業界首款SiC MOSFET。公司最近還和st簽訂了長期的SiC晶圓供應協議，夯實了公司未來的發展基礎。
Cree在SiC功率器件的發展歷史
來到GaN方面，Cree在2004年收購了AdvancedTechnology Materials（ATMI），獲得了GaN和外延業務，公司也直接取得GaN襯底和外延的產能；2018年3月，Cree反過來收購了英飛凌的射頻功率業務，按照Cree 首席執行官 Gregg Lowe 的說法，這次收購穩固了 Wolfspeed 在射頻碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）技術方面的領導地位，同時使科銳進入更多市場，擴大客戶并獲得在封裝領域的專業技術。這是科銳發展戰略的重要舉措，使Wolfspeed 能夠助力4G網絡提速，以及向革命性的5G轉型。
經過多年的發展，現在的Cree具備了SiC 功率器件及 GaN RF 射頻器件生產能力，其中SiC功率器件市場，Wolfspeed擁有全球最大的份額，公司也引領了SiC晶圓尺寸的變化浪潮；而在GaN射頻市場，Wolfspeed也僅僅是屈居第二。公司的GaN HEMT出貨量也超過了1500萬只，公司也拓展出了GaN－on－SiC 代工服務。
對Cree來說，這一切都是水到渠成的。于國內的廠商來說，Cree這些聚焦高毛利新產品，因勢利導的做法也值得我們本土企業學習。
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